2019年中国江阴(高新区)创新创业大赛

上海朕芯微电子科技有限公司

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发表时间:2019-06-06 16:02来源:大赛组委会

参赛企业:上海朕芯微电子科技有限公司

项目名称:第三代半导体SiC 晶圆减薄和背面金属化研发与生产


企业组三等奖


上海朕芯微电子科技有限公司成立于2014年1月,专注于半导体晶圆中道制程,目前专业从事晶圆减薄和背面金属化代工,可加工6inch、8inch和12inch的晶圆;公司正在开发第三代半导体GaN、SiC等的晶圆减薄和背面金属化技术;目前也在积极开展功率IGBT的背面制程和功率器件CSP封装等方面的研发。


以低压功率MOSFET为例。下图是20V 功率MOSFET导通电阻Rds与晶圆厚度之间的关系。可以看出随着晶圆厚度的减薄,其导通电阻Rds也随之降低,这极大地降低了器件的功耗,提高了整个电子系统的能量转换效率。


另外,随着晶圆厚度的减薄,整个元器件的封装体的厚度也变薄,在一固定的体积内,能放入更多的电子元器件,这也是变相地满足Moore定律的要求。


上海朕芯的创业团队率先掌握了超薄先进制程,2014年成立并开始为客户提供代工加工服务,目前是国内唯一一家专业的晶圆减薄和背面金属化的代工厂;且率先在国内提供金属Sn制程。

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